特許
J-GLOBAL ID：200903056221360487
化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100275
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284227
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【目的】 量産性に優れた化合物半導体の製造方法とするとともに、比較的低温のアニールでよく、しかも再現性に優れた化合物半導体の製造方法とする。【構成】 気相成長法により、P型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成する工程と、前記GaN系化合物半導体層の表面にGaN系化合物半導体層の成長温度より低い温度でIn又はInNの薄膜を形成する工程と、300°C以上800°C以下でかつO2 を含む雰囲気中でアニールする工程とを有している。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、P型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成する工程と、前記GaN系化合物半導体層の表面にGaN系化合物半導体層の成長温度より低い温度でIn又はInNの薄膜を形成する工程と、300°C以上800°C以下でかつO2 を含む雰囲気中でアニールする工程とを具備したことを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 21/225
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01L 21/225 M
