特許
J-GLOBAL ID：200903056223389229
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311116
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135568
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体素子と配線基板を固定している絶縁性樹脂は常温時と高温時の熱の発生消滅に従って樹脂に繰り返し発生し、樹脂を疲労させ、その劣化を早め収縮力を低下させる。その結果、樹脂の膨張量が収縮量を上回るようになって半導体素子の突起電極と配線基板の導体配線との隙間に発生させ導通不良を発生させる。【解決手段】 導体配線14(導体パッド)を有する有機配線基板15のその導体配線14と、半導体素子11の突起電極12が合致し、半導体素子11と有機配線基板15の間を熱硬化型の接着用絶縁性樹脂13で固着する構造を有する半導体装置において、接着用絶縁性樹脂13の硬化の際に発生する残留応力が、その最大応力の発生する領域を突起電極12付近とし、さらに半導体素子11の中央付近を最小またはゼロの領域とし、その突起電極12付近の残留応力による引っ張り力により接続を保つ構成とした。
請求項（抜粋）：
配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、それら配線基盤と半導体素子との間を硬化によって収縮する接着用絶縁性樹脂で固着する構造の半導体装置において、前記接着用絶縁性樹脂の硬化の際に発生する残留応力の領域が前記突起電極付近で最大となる構成としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, C09J163/00
H01L 21/60 311 S
, C09J163/00
