半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306952
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】従来の半導体素子の配線基板への接続においては、樹脂接着剤の収縮力により接続の維持を行うので、配線基板の電極と半導体素子の突起電極との間の高い接続信頼性を得るために、電極と突起電極を非常に高い平坦性を有する必要があり、半導体装置の製造コストが上昇するという課題があった。【解決手段】半導体素子1とプリント基板3とを圧接させる際、半導体素子1およびプリント基板3を所望の温度に加熱し、半導体素子1とプリント基板3との間に樹脂にてなる接着剤5を配置し、圧接力を半導体素子1の突起電極2の1個あたり20g〜150gとし、プリント基板3の電極4の幅を突起電極2の幅より小さくし、電極4の部分に深さ5μm〜30μmの凹部19を形成する。

請求項（抜粋）：

突起電極を有する半導体素子と、該突起電極に相対する電極を有する配線基板との間に樹脂にてなる接着剤を配置し、前記半導体素子と前記配線基板とを圧接して前記接着剤を硬化させることにより前記半導体素子と前記配線基板とを接続した半導体装置において、前記配線基板の電極の幅を前記突起電極の幅より小さく形成し、かつ、前記圧接により前記配線基板の前記電極部分に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-285650
特開昭52-011770
特開平2-170444

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