特許
J-GLOBAL ID:200903056227519135
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 強
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-172928
公開番号(公開出願番号):特開2000-012594
出願日: 1998年06月19日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】 ワイヤボンディングのボンディング強度を十分強くすると共に、作業工程数を削減する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、配線基板1をケース6に接着剤7を介して接着する接着工程を実行した後、接着剤7を硬化させる前に、配線基板1とケース6との間をワイヤボンディングするボンディング工程を実行し、そしてこの後、接着剤7を硬化させる硬化工程を実行するように構成されている。この方法によれば、配線基板1及びケース6のボンディングランド2a及び9aが酸化・汚染されない状態で、ワイヤボンディングを実行することができる。
請求項(抜粋):
配線基板や半導体基板等からなる基板と、この基板を載置支持する基板支持部材とを備え、前記基板を前記基板支持部材に接着した状態で、両者をワイヤボンディングして成る半導体装置の製造方法において、前記基板を前記基板支持部材に接着剤を介して接着する接着工程と、この接着工程を実行した後、前記接着剤を硬化させる前に、前記基板と前記基板支持部材との間をワイヤボンディングするボンディング工程と、このボンディング工程を実行した後、前記接着剤を硬化させる硬化工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/60 301
, H01L 21/52
, H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/60 301 D
, H01L 21/52 E
, H01L 23/12 W
Fターム (6件):
5F044CC03
, 5F044CC06
, 5F044CC07
, 5F047AA17
, 5F047AB03
, 5F047BA22
引用特許: