特許
J-GLOBAL ID：200903056230950122
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100187
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284187
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 低オン抵抗の横型二重拡散MOSFET(100)を提供する。【解決手段】 横型二重拡散MOSFET(100)であって、主面(34)を有する基板,主面(34)の所定領域に形成された窪み(31)内に設けられたゲート電極(32),ソース電極,ドレイン電極,ベース(36),ベース(36)のうちゲート電極(32)近傍に形成されるチャネルを有することを特徴とする横型二重拡散MOSFETによって実現される。
請求項（抜粋）：
半導体装置(100)であって:主面(34)を有する基板;前記主面(34)の所定領域に形成された窪み(31)内に設けられたゲート電極(32);ソース電極;ドレイン電極;ベース(36);および前記ベース(36)のうち前記ゲート電極(32)近傍に形成されるチャネル;を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 V
, H01L 29/62 G
