特許
J-GLOBAL ID：200903056240905583

磁気センサ

発明者：
白崎 文雄

白崎 文雄 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-115238
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319925
出願日： 2003年04月21日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】耐熱性が高く、小さい外部磁界で動作可能な磁気センサを提供する。【解決手段】GMR素子は、外部磁界に反応して磁化方向が変化する少なくとも一つの耐熱軟磁性層と、予め定められた磁化方向を有する耐熱磁性層を含む少なくとも一つのバイアス層とを有し、耐熱軟磁性層とバイアス層との間に、耐熱軟磁性層とバイアス層とを磁気的に分離する少なくとも一つの非磁性層が配置されている。耐熱軟磁性層は、(NixFe1-x)yB1-y{但し、0.70≦x≦0.90、0.90≦y<1.00}の組成で、バイアス層を構成する耐熱磁性層は、(CoaFe1-a)bB1-b{但し、0.70≦a≦1.00、0.90≦b≦1.00}の組成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部磁界に反応して磁化方向が変化する少なくとも一つの耐熱軟磁性層と、予め定められた磁化方向を有する耐熱磁性層を含む少なくとも一つのバイアス層とを有し、前記耐熱軟磁性層と前記バイアス層との間に、前記耐熱軟磁性層と前記バイアス層とを磁気的に分離する少なくとも一つの非磁性層が配置されていることを特徴とする磁気センサ。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
Fターム (5件)：
5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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