特許
J-GLOBAL ID：200903077867862399

磁気抵抗効果膜

発明者：
菅原 貴彦

菅原 貴彦 について

, 
清水 豊

清水 豊 について

, 
田中 厚志

田中 厚志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229559
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053353
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果膜に関し、良好な交換結合性を示す交換結合膜を備え、高い交換結合性及び高いシート抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜を提供しようとする。【解決手段】 膜厚がd1 であるCo85Fe13B2 からなる第一の強磁性膜1及び膜厚がd2 であるCo85Fe13B2 からなる第二の強磁性膜3がRuからなる非磁性金属膜2を挟んで積層されてなる複合膜4と複合膜4に接するPdPtMnからなる反強磁性膜5とで構成され且つ該第一の強磁性膜1の膜厚d1 と第二の強磁性膜3の膜厚d2 とが、1.0〔nm〕≦d1 ≦3.0〔nm〕、1.0〔nm〕≦d2 ≦3.0〔nm〕、d1 ≦d2 、なる関係を維持した交換結合膜を備えている。
請求項（抜粋）：
膜厚がd1 である第一の強磁性膜及び膜厚がd2 である第二の強磁性膜が非磁性金属膜を挟んで積層されてなる複合膜と該複合膜に接する反強磁性膜とで構成され且つ該第一の強磁性膜の膜厚d1 と該第二の強磁性膜の膜厚d2 とが1.0〔nm〕≦d1 ≦3.0〔nm〕1.0〔nm〕≦d2 ≦3.0〔nm〕d1 ≦d2なる関係を維持した交換結合膜を備えてなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R
Fターム (19件)：
2G017AA04 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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