特許
J-GLOBAL ID：200903056287616113

基板上の層状構造体の製造方法、及び該方法によって製造された基板及び半導体部品

発明者：
ブレンデル,ロルフ

ブレンデル,ロルフ について


出願人/特許権者：
マクス-プランク-ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル ヴァイセンシャフト エー ファウ

マクス-プランク-ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル ヴァイセンシャフト エー ファウ について


代理人 (1件)： 福田 武通 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-506319
公開番号（公開出願番号）：特表2002-511981
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：
【要約】本発明は、中空キャビティを有する物質層、好ましくは多孔性物質層を、例えば単結晶pタイプまたはnタイプSiから成る基板上にまたは基板から生成し、その後層状構造体あるいはその一部をキャビティ露出または多孔性物質層上に設ける層状構造体の製造方法に関する。次に、層状構造体あるいはその一部は、中空キャビティまたは多孔性層を所望の分離位置として使用する基板から、例えばキャビティ露出または多孔性層の境界面内あるいは上での機械的応力の発生中に分離させる。この方法は、基板表面が多孔性層の生成前に構造化されること、あるいは多孔性層表面が構造化されることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
中空キャビティを有する物質層、好ましくは多孔性物質層が例えば単結晶pタイプまたはnタイプSiから成る基板上に生成され、次に層状構造体の一部がキャビティ露出または多孔性物質層上に設けられて、その後に例えばキャビティ露出または多孔性層の境界面内または境界面上での機械的歪みの生成中にキャビティ露出または多孔性物質層を目的の分離位置として利用して基板から分離される層状構造体製造方法であって、 該基板の表面は多孔性層の生成前に構造化され、あるいは該多孔性層の表面が構造化されることを特徴とする層状構造体製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/304 601 ,  B01J 19/08 ,  C01B 33/12 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/66 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/09
FI (9件)：
H01L 21/304 601 Z ,  B01J 19/08 F ,  C01B 33/12 Z ,  C30B 29/06 502 F ,  C30B 29/66 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/00 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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