半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343228
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142491
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に配線パッド6を形成し、配線パッド6上に反射防止膜としてのTiN膜16を形成し、このTiN膜16を覆うように、シリコン酸化膜7とシリコン窒化膜8を積層する。シリコン窒化膜8上にポリイミド樹脂9を形成する。配線パッド6の上方に形成されたポリイミド樹脂9を除去し、ポリイミド樹脂9に開口を形成する。このポリイミド樹脂9をマスクとしてシリコン窒化膜8を等方性エッチングした後、さらにシリコン酸化膜7を異方性エッチングする。TiN膜16を等方性エッチングした後、ポリイミド樹脂9をベークする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、基板上に、配線パッドを形成する工程と、前記配線パッド上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜を覆うように、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とを積層する工程と、前記第2絶縁膜上に前記バッファーコート膜を形成する工程と、前記配線パッドの上方に形成された前記バッファーコート膜を除去し、前記バッファーコート膜に開口を形成する工程と、前記バッファーコート膜をマスクとして前記第2絶縁膜を等方性エッチングすることにより、前記第2絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第2絶縁膜に開口を形成した後、前記バッファーコート膜をマスクとして前記第1絶縁膜を異方性エッチングすることにより、前記第1絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第1絶縁膜に開口を形成した後、前記バッファーコート膜をマスクとして前記反射防止膜を等方性エッチングすることにより、前記反射防止膜を除去する工程と、前記反射防止膜を除去した後、前記バッファーコート膜をベークする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/302 L

Fターム (41件)：

5F004AA11 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB12 , 5F004EA22 , 5F004EB02 , 5F033HH09 , 5F033HH33 , 5F033MM08 , 5F033QQ00 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033XX12 , 5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-203810 出願人：株式会社東芝
半導体装置、該半導体装置の製造方法、CMP装置、及びCMP方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-003708 出願人：三菱電機株式会社

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