特許

J-GLOBAL ID：200903056350228196

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中山 久志 ,  上田 哲三 ,  油利 正昭 ,  瀧澤 俊幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226898
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072571
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 半導体装置の素子特性を向上させる。【解決手段】 半導体装置は、サファイア基板101上に形成された第1の半導体層よりなる能動層(活性層)105を備えている。能動層(活性層)105には、酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の半導体層よりなる能動層を備えた半導体装置であって、 前記能動層には、酸化層よりなる第1の酸化領域が形成されていることを特徴する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L29/786 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/78 618B

Fターム (31件)：

5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F110AA06 ,  5F110AA11 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110NN62 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 水分散型感圧性接着剤組成物およびその製造方法ならびに表面保護用シ-ト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-202359   出願人：日東電工株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-080242   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-262712   出願人：松下電器産業株式会社