特許
J-GLOBAL ID：200903033143279791

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
上田 大助

上田 大助 について

, 
瀧川 信一

瀧川 信一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-262712
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163417
出願日： 2002年09月09日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 III-V族窒化物半導体からなる半導体発光素子に設ける電流ブロック層の密着性を向上し且つピンホール密度を小さくできるようにする。【解決手段】 サファイアからなる基板10の上には、n型GaNからなるn型バッファ層11、n型AlGaNからなるn型クラッド層12、n型GaNからなるn型光ガイド層13、アンドープGaInNからなる単一量子井戸型活性層14、p型GaNからなるp型光ガイド層15、p型AlGaNからなるp型クラッド層16、及びp型GaNからなるp型コンタクト層17が形成されている。p型クラッド層16の上部及びp型コンタクト層17にリッジ部を形成する電流ブロック層18は、III-V族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成され、III-V族窒化物からなる半導体層と、前記半導体層に、該半導体層を露出する開口部を有するように形成され、前記半導体層を構成する窒素原子の一部が酸素原子に置換された誘電体からなる電流ブロック層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/323 610
Fターム (12件)：
5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA15 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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