半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080242
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267555
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体との密着性、電気的特性又は光学的特性に優れる絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】半導体装置は、SiCからなる基板11上に成長したGaN系半導体からなる活性領域12Aと、該活性領域12Aの周囲にGaN系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜12Bとを有している。活性領域12Aの上には、該活性領域12Aとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜12Bの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜12B上に引き出し部13aを有するゲート電極13と、該ゲート電極13のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極14とが形成されている。

請求項（抜粋）：

基板の上に形成されたIII 族窒化物半導体からなる活性領域と、前記基板上における前記活性領域の周辺部に形成され、前記III 族窒化物半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/306 , H01L 21/316 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01S 5/028 , H01S 5/323

FI (7件)：

H01L 21/316 S , H01L 29/205 , H01S 5/028 , H01S 5/323 , H01L 29/80 H , H01L 21/306 B , H01L 29/72

Fターム (50件)：

5F003BA11 , 5F003BA13 , 5F003BM01 , 5F003BM03 , 5F003BP23 , 5F003BP46 , 5F003BZ03 , 5F043AA09 , 5F043AA31 , 5F043AA35 , 5F043BB01 , 5F043BB22 , 5F043BB23 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC20 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BJ01 , 5F073AA04 , 5F073AA84 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA27 , 5F073DA33 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GQ00 , 5F102GQ01 , 5F102GS03 , 5F102GT03 , 5F102GV03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225077 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-058205 出願人：ソニー株式会社
特開昭48-076478

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