特許

J-GLOBAL ID：200903056393409984

エッチング方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 北川 英夫 ,  鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340549
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 導電体を良好に埋め込むことができるように、ボーイング形状を呈しない溝を、充分なエッチングレートにて形成する。【解決手段】 有機絶縁膜3をエッチングする場合炭化水素ガスを用いてプラズマを発生させ、有機絶縁膜3に形成された溝5の内部の側壁に側壁保護膜を形成しつつエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

有機絶縁膜のエッチング方法において、炭化水素を含む処理ガスを被処理体が設置された容器内に導入し、電気エネルギーを供給してプラズマを生成し、前記被処理基体に形成されている有機絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A

Fターム (105件)：

2H096AA25 ,  2H096HA14 ,  2H096HA24 ,  2H096LA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD20 ,  4M104FF16 ,  4M104HH13 ,  5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK38 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033XX02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機化合物膜の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-190993   出願人：株式会社東芝, 株式会社芝浦製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229403   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-186335
  

審査官引用 (4件)

• 有機化合物膜の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-190993   出願人：株式会社東芝, 株式会社芝浦製作所
• 特開昭57-186335
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229403   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-186335