特許
J-GLOBAL ID：200903056430888120

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置

発明者：
新谷 修一

新谷 修一 について

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辻 喜亨

辻 喜亨 について

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徳永 淳人

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出願人/特許権者：
東レ株式会社

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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-096164
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356538
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】成形性(流動性、充填性)及び信頼性、特に高温リフロー信頼性を同時に満足するような半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置を提供する。【解決手段】一般式(I)で表されるビフェニルノボラック型エポキシ樹脂(a1)を必須成分として含有するエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂(A)としてさらにビスフェノールF型エポキシ樹脂(a2)もしくはビスフェノールA型エポキシ樹脂(a3)のいずれか1種を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で表されるビフェニルノボラック型エポキシ樹脂(a1)を必須成分として含有するエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂(A)としてさらにビスフェノールF型エポキシ樹脂(a2)またはビスフェノールA型エポキシ樹脂(a3)のいずれか1種を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4の低級アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子であり、nは0〜10の整数である。)
IPC (6件)：
C08G 59/38 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5件)：
C08G 59/38 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 A ,  H01L 23/30 R
Fターム (34件)：
4J002CD05X ,  4J002CD053 ,  4J002CD06W ,  4J002CD12W ,  4J002DE146 ,  4J002DE236 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD010 ,  4J002FD016 ,  4J002FD14X ,  4J002FD150 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA05 ,  4J036AA06 ,  4J036AD00 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AD09 ,  4J036AD12 ,  4J036AE05 ,  4J036AF36 ,  4J036AK19 ,  4J036FA01 ,  4J036FA02 ,  4J036FA05 ,  4J036FB08 ,  4J036JA07 ,  4J036KA01 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EC05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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