特許
J-GLOBAL ID：200903056474364179

半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者：
山口 峰生

山口 峰生 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152220
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353194
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン部材をドライエッチングする際の開口部の側端下部に生じる局所溝の形成を抑制し且つシリコン窒化膜に対する高い選択比を持ちながらエッチングを行なえるようにする。【解決手段】 プラズマ密度が1×1016/m3 以上の塩素ガスを含むプラズマを用いてシリコンからなる半導体基板11をドライエッチングする際に、プロセス圧力を約4Pa以上として塩素分子イオンを効率的に生成することにより、溝部11aの側端下部に生じやすい局所溝の発生を抑制すると共に、マスクパターンに用いるシリコン窒化膜13に対して高い選択比を得ることができる。
請求項（抜粋）：
シリコンからなる半導体部材上に開口部を有するマスクパターンを形成する第1の工程と、前記マスクパターンが形成された前記半導体部材を、塩素分子イオンを含む高密度プラズマを用いてエッチングする第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/76
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 L
Fターム (22件)：
5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004FA08 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA28 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069960   出願人：ソニー株式会社
  • 表面加工装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-179982   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭62-282457

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