窒化シリコン膜、およびその製造方法、ならびに機能デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122477
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327844
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】半導体デバイスおよびマスク部材として適用可能な、応力のないまたは低応力の窒化シリコン膜を提供することを目的とする。【解決手段】上記課題を解決するため、本発明は、基板1上に形成された非晶質の窒化シリコン膜におけるシリコンに対する窒素の原子数の組成比を1.1以上1.5以下とし、膜中における水素の原子割合を10%以上15%以下とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非晶質の窒化シリコン膜におけるシリコンに対する窒素の組成比を1.1以上1.5以下とし、膜中における水素の原子量割合を5%以上20%以下とした窒化シリコン膜。

IPC (4件)：

H01L21/318 , G03F1/16 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/318 B , G03F1/16 A , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A

Fターム (48件)：

2H095BA08 , 2H095BA10 , 2H095BB17 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC19 , 2H095BC24 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03 , 5F058BJ05 , 5F058BJ10 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-330783
特開平4-133354
半導体微粒子分散膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-231694 出願人：凸版印刷株式会社

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