特許
J-GLOBAL ID:200903056487508161
光電変換素子及び固体撮像素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-049244
公開番号(公開出願番号):特開2008-218445
出願日: 2007年02月28日
公開日(公表日): 2008年09月18日
要約:
【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。【解決手段】一対の電極11,13と、一対の電極11,13の間に配置された光電変換層12aとを含む光電変換部を有し、一対の電極11,13間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Aであって、光電変換層12aが、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する1種類の光電変換材料(例えばスズフタロシアニン)と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料(例えばTMM-1)との混合層を含んで構成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有し、前記一対の電極間にバイアス電圧を印加して信号を取り出す光電変換素子であって、
前記光電変換層が、主として特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する1種類の光電変換材料と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有する少なくとも1種類のマトリックス材料との混合層からなる光電変換素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L31/10 A
, H01L27/14 E
, H01L27/14 A
Fターム (21件):
4M118BA07
, 4M118CA02
, 4M118CA27
, 4M118CA32
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5F049MA01
, 5F049MB08
, 5F049NA05
, 5F049NA10
, 5F049NB05
, 5F049PA06
, 5F049QA07
, 5F049RA03
, 5F049RA08
, 5F049SE04
, 5F049WA03
引用特許: