特許

J-GLOBAL ID：200903056488338014

半導体装置

発明者： 近藤 市治 ,  真山 恵次 ,  三浦 昭二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273455
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033130
出願日： 2003年07月11日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】 半導体基板の基板表面に形成されたAl電極の上に外部接続用のNi膜を含む金属電極を設け、半導体基板の基板裏面に裏面電極を設けてなる半導体チップにおいて、製造時における半導体ウェハの反りを極力抑制する。【解決手段】 半導体基板1における素子形成面である基板表面1aにAl電極11を備え、半導体基板1における基板裏面1bに裏面電極4を備えてなる半導体チップにおいて、Al電極11の表面には、当該表面側からNiメッキ層13a、Auメッキ層13bが順次無電解メッキにより積層されてなる金属電極13が形成されており、裏面電極4は物理的気相成長法により形成されたNi膜4bからなり、このNi膜4bの膜応力が金属電極13におけるNiメッキ層13aの膜応力の3倍以上である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)における素子が形成された面である基板表面(1a)にアルミニウムからなるアルミニウム電極(11)を備え、前記半導体基板における前記基板表面とは反対側の基板裏面(1b)に裏面電極(4)を備えてなる半導体装置において、 前記アルミニウム電極の表面には、メッキ形成されたニッケルメッキ層(13a)を含む外部接続用の金属電極(13)が形成されており、 前記裏面電極は物理的気相成長法により形成されたニッケル膜(4b)を含み、前記ニッケル膜の膜応力が前記金属電極における前記ニッケルメッキ層の膜応力の3倍以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41

FI (4件)：

H01L21/28 301R ,  H01L21/60 301P ,  H01L21/60 311Q ,  H01L29/44 L

Fターム (14件)：

4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104DD20 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE21 ,  5F044QQ06 ,  5F044QQ07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196140   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭63-305532号公報