特許
J-GLOBAL ID：200903056499986212

薄膜型電子源およびそれを用いた表示装置

発明者：
鈴木 睦三

鈴木 睦三 について

, 
楠 敏明

楠 敏明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-296471
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139175
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】薄膜型電子源において,長期間にわたってノイズのない放出電流を得るとともに,長寿命化を図る。【解決手段】薄膜型電子源の上部電極を2層構造とし,絶縁層に接する膜をTi, V, Rh, Pt, Th, Zr, Hf, Ru, Mo, Ir, Nb, Ta, Re, Os, W で形成し,真空に接する膜をそれと異なる材料で形成する。【効果】長時間動作させても特性劣化が起こらないほか,動作電圧の低減や低エネルギー分散かつ高放出電流といった薄膜電子源の特性向上も同時に実現でき,さらにこれを用いて画像表示装置を製作することによりチラツキのない画像を表示できる。
請求項（抜粋）：
下部電極,絶縁層,上部電極を積層した構造を有し,前記下部電極と上部電極間に,上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に,前記上部電極表面から真空中に電子を放出する薄膜型電子源において,前記上部電極を,前記絶縁層に接する材料Aとそれと異なる真空部分に接する材料Bとを積層した構造とし,前記材料Aとして Pt, Th, Zr, Hf, Ru, Mo, Ir, Nb, Ta, Re, Os, W のいずれかまたはこれらの合金を用いたことを特徴とする薄膜型電子源。
IPC (2件)：
H01J 1/30 ,  H01J 31/12
FI (2件)：
H01J 1/30 B ,  H01J 31/12 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭63-091925
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261632   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080170   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (4件)
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