特許

J-GLOBAL ID：200903056505096003

洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 太田 勝啓 ,  伊藤 晴夫 ,  斉藤 昭男 ,  伊藤 勝彦 ,  舟橋 倫正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232805
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134899
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路等の半導体装置を洗浄する工程において、フッ酸及びフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液などの洗浄液中で、半導体装置の表面に微粒子が付着し、歩留まりが低下する。【解決手段】 洗浄液中に存在する微粒子2に付着されやすい膜1を、その微粒子2と静電気反発力の大きい膜4で被覆して、膜1と微粒子2との間の静電気反発力を増大させる。【効果】 微粒子の付着を防止できるため、これに起因する不良を低減でき、半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等のエレクトロニクス部品の歩留りを高めることができる。

請求項（抜粋）：

基体上に、単結晶シリコンと同等または単結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料からなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜を覆うように、前記微粒子と静電気反発力を有する第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜が形成された前記基体を、前記微粒子を含む洗浄液を用いて洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 異物付着防止溶液とそれを用いた洗浄方法及び洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276938   出願人：株式会社日立製作所
• ウェット処理方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337934   出願人：日本電気株式会社
• 非接触型シール及びそのシール材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174306   出願人：三菱重工業株式会社