特許
J-GLOBAL ID：200903056510490550
薄膜トランジスタのアクティブ層およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-270264
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255917
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 低ディポジッションレートで化学気相成長法によって成膜された電気的特性がすぐれたアモルファスシリコン層と高ディポジッションレートで化学気相成長法によって成膜された物理、機械的特性がすぐれたアモルファスシリコン層とに区分して蒸着することにより、タクトタイムを半減し、かつ相対的に電気的特性の劣化や接着力など物理機械的な特性が劣化されないTFT基板を製作することにある。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタのアクティブ層は、ゲート絶縁膜と連続して低ディポジッションレートで成膜された細密アモルファスシリコン層と、前記細密アモルファスシリコン層より高いディポジッションレートで成膜された粗アモルファスシリコン層とを含んで構成される。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜と連続して低ディポジッションレートで成膜された細密アモルファスシリコン層と、前記細密アモルファスシリコン層より高いディポジッションレートで成膜された粗アモルファスシリコン層とを含んで構成されることを特徴とする薄膜トランジスタのアクティブ層。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 A
