p型活性層を有するIII族窒化物発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-203763
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064080
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】活性領域に少なくとも1つのp型層を有するIII族窒化物発光装置を提供する。【解決手段】n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも1つの付加的なp型層を含む。活性領域のp型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともp型である。いくつかの実施形態では、活性領域のp型層の平均転位密度は、約5×108cm-2よりも小さい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

n型層と、第1のp型層と、前記n型層と前記p型層との間に配置され、少なくとも、約5×108cm-2よりも小さい平均転位密度を有する第2のp型層を有する、光を発することができる活性領域と、を含むことを特徴とするIII族窒化物発光装置。

IPC (3件)：

H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343

FI (3件)：

H01L33/00 C , H01L21/205 , H01S5/343 610

Fターム (26件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA77 , 5F041CB36 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AF04 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB14 , 5F073DA04 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058798 出願人：株式会社日立製作所
窒化物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-230551 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237492 出願人：株式会社東芝

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