特許
J-GLOBAL ID:200903056535304808

貫通電流制御装置を備えたインバータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-092744
公開番号(公開出願番号):特開2007-267560
出願日: 2006年03月30日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】ダイオードの逆回復時にサージ電圧や電圧の高周波振動を抑制すると共に、電圧変化dV/dtで電圧制御型パワー半導体素子を導通させる際の貫通電流を低減し、低損失化も両立したインバータを提供すること。【解決手段】本発明のインバータは、上下アームに電圧制御型パワー半導体素子とこれに並列なダイオードを各々備え、スイッチ手段を具備した駆動回路で該電圧制御型パワー半導体素子のオン、オフを制御し、前記電圧制御型パワー半導体素子が主電流を出力する為に必要な制御しきい値電圧より低い値を設定電圧として、順電圧の総和が前記設定電圧とほぼ等しい複数の第二のダイオードを、前記駆動回路で該電圧制御型パワー半導体素子をオフさせるスイッチ手段に直列に接続する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
上下のアーム配置したに電圧制御型パワー半導体素子と該パワー半導体素子に逆並列に接続したダイオードと、該電圧制御型パワー半導体素子の駆動回路とを備えたインバータにおいて、 前記駆動回路が、 前記電圧制御型パワー半導体素子が主電流を出力する為に必要な制御しきい値電圧より少なくとも低い値を設定電圧として、順電圧の総和が前記設定電圧とほぼ等しい複数の第二のダイオードを、前記電圧制御型パワー半導体素子をオフさせるスイッチ手段に直列に備えることを特徴とするインバータ。
IPC (2件):
H02M 1/08 ,  H02M 7/48
FI (2件):
H02M1/08 A ,  H02M7/48 M
Fターム (18件):
5H007AA01 ,  5H007AA03 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007DB03 ,  5H007DB09 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740MM01 ,  5H740MM11
引用特許:
出願人引用 (3件)

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