特許
J-GLOBAL ID：200903056542770288

埋込み回路およびデバイスの方法と構造

発明者：
キャンベル、ジョン、イー

キャンベル、ジョン、イー について

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デヴァイン、ウィリアム、ティー

デヴァイン、ウィリアム、ティー について

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スリクリシャン、クリス、ヴィー

スリクリシャン、クリス、ヴィー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-504465
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530308
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】埋込み酸化物層(24)が結果として形成されるSOI技術を用いる、電子デバイス(20A)を製造する方法および構造を提供すること。【解決手段】前記方法は、第1の単結晶半導体層(23)内に、電子デバイスの第1の構成要素(21、22)の少なくとも1つを形成すること、および埋込み酸化物層(24)により第1の単結晶半導体層(23)から分離された第2の単結晶半導体層(25)に、電子デバイスの第2の構成要素(26、27)の少なくとも1つを形成することを含み、埋込み酸化物層(24)は、電子デバイス(20A)に不可欠な機能を果たすように局所的に修正されている。この技術を用いて回路全体を設計することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SOI技術を用いる電子デバイスの製造方法であって、前記SOI技術により埋込み酸化物層が結果として形成され、 第1の単結晶半導体層内に、前記電子デバイスの第1の構成要素の少なくとも1つを作製する工程と、 前記埋込み酸化物層により前記第1の単結晶半導体層から分離された第2の単結晶半導体層内に、前記電子デバイスの第2の構成要素の少なくとも1つを作製する工程と を含み、前記埋込み酸化物層が、前記電子デバイスに不可欠な機能を果たすように局所的に修正されている前記方法。
IPC (14件)：
H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12
FI (22件)：
H01L29/78 626C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 626B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 613A ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 R ,  H01L27/10 625A ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 625Z ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102H ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321K ,  H01L21/88 J ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/06 102A
Fターム (109件)：
5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032BB06 ,  5F032BB08 ,  5F032CA05 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA13 ,  5F032DA21 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033MM12 ,  5F033MM30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB19 ,  5F048BE09 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F083AD02 ,  5F083AD15 ,  5F083AD17 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA16 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110CC08 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD22 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • SOI素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365404   出願人：現代電子産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-111369   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社

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