特許
J-GLOBAL ID：200903056543177459
SOIウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028825
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216826
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】スマートカット法における犠牲酸化の処理によっても、結晶完全性を阻害することなく表面ラフネスの改善を図ることができるSOIウェーハの製造方法を提供。【解決手段】活性層ウェーハに絶縁膜を介して水素イオンまたは希ガスをイオン注入してイオン注入層を形成した後、当該活性層ウェーハを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせ、形成された貼り合わせウェーハに熱処理を施し前記イオン注入層を剥離することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウェーハを製造する方法において、前記活性層ウェーハとして単結晶インゴットの育成過程で炭素(C)ドープされたウェーハを用いることを特徴とするSOIウェーハの製造方法である。前記炭素濃度を1×1016atoms/cm3以上にするのがよい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
活性層ウェーハに絶縁膜を介して水素イオンまたは希ガスをイオン注入してイオン注入層を形成した後、当該活性層ウェーハを絶縁膜を介して支持ウェーハに貼り合わせ、形成された貼り合わせウェーハに熱処理を施し前記イオン注入層を剥離することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウェーハを製造する方法において、
前記活性層ウェーハとして単結晶インゴットの育成過程で炭素(C)ドープされたウェーハを用いることを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
