特許
J-GLOBAL ID：200903039403719543
水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124092
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 水素イオン注入剥離法において、剥離後にSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、SOI層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品質のSOIウエーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えるSOIウエーハを製造する方法。および、水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えるSOIウエーハを製造する方法。および、これらの方法で製造されたSOIウエーハ。
請求項（抜粋）：
水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法。
引用特許：
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