特許

J-GLOBAL ID：200903056566422060

成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構

発明者： 藤田 義幸 ,  平井 純 ,  飯高 あずさ ,  田村 辰也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166099
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345778
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 クリーニング操作の終点を的確に検出して認識することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】 処理容器内の処理空間にて被処理体に対して成膜処理を施す成膜装置にクリーニングガスを流して内部のクリーニングを行なうに際して、前記処理容器内に設置したクリーニングガス温度検出手段48Eによりクリーニングガスの温度を検出し、このクリーニングガス温度検出手段の検出値がピーク値を過ぎたことに応答してクリーニング操作の終点を検出するようにする。これにより、クリーニング操作の終点を的確に検出して認識する。

請求項（抜粋）：

処理容器内の処理空間にて被処理体に対して成膜処理を施す成膜装置にクリーニングガスを流して内部のクリーニングを行なうに際して、前記処理容器内に設置したクリーニングガス温度検出手段によりクリーニングガスの温度を検出し、このクリーニングガス温度検出手段の検出値がピーク値を過ぎたことに応答してクリーニング操作の終点を検出するようにしたことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-306582
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-322941   出願人：株式会社東芝
• 成膜装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-309799   出願人：沖電気工業株式会社