p型半導体膜の製造方法およびそれを用いた発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119667
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016088
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 p型のII-VI族化合物半導体を製作し、これを用いてII-VI族化合物半導体からなる発光素子を製作する。【解決手段】 c面サファイア基板1の上に金属薄膜12を形成し、その上にAsをドープされたp型のZnO薄膜2を形成し、その上にAlをドープされたn型のZnO薄膜5を形成する。n型ZnO薄膜5の上には上部電極13を設け、金属薄膜12の上には下部電極14を設ける。

請求項（抜粋）：

MgXZn1-XO(0≦x≦1)またはCdXZn1-XO(0≦x≦1)を含み、p型不純物が導入されたII-VI族化合物半導体膜を基板上に設ける工程と、前記不純物が導入された半導体膜を熱処理することにより、前記p型不純物を活性化させる工程と、を包含するp型半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/363 , C23C 14/34 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/363 , C23C 14/34 N , H01L 33/00 D

Fターム (29件)：

4K029AA04 , 4K029BA43 , 4K029BA49 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029CA10 , 4K029DC03 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5F041AA21 , 5F041CA02 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA71 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103JJ01 , 5F103KK10 , 5F103LL03 , 5F103PP03 , 5F103PP04

引用特許：

審査官引用 (6件)

透光性導電酸化膜の改質方法とこれを用いた光起電力装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150422 出願人：三洋電機株式会社
特開昭54-043598
特開昭55-047225

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