特許
J-GLOBAL ID：200903056612725552

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
河崎 陽一

河崎 陽一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051293
公開番号（公開出願番号）：特開2002-251888
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】第三者によるセキュリティデータの改竄を防止し、テスタビリティも考慮した不揮発性メモリのセキュリティ回路を提供する。【解決手段】データ保護情報を記録するためのデータ保護用メモリセルアレイ4と、リード/ベリファイ用リファレンスセル3の消去用の回路を共通にし、同時に消去を行う。リード/ベリファイ用リファレンスセル3を消去するとその不揮発性メモリはメモリとしての役割を果たせなくなるため、結果としてデータの改竄を防ぐ。
請求項（抜粋）：
データ保護用メモリセルアレイに格納するデータに基づいてデータ領域メモリセルアレイの該当エリアに記憶するデータを保護すると共に、該データ保護用メモリセルアレイおよびデータ領域メモリセルアレイのメモリセルの情報をリファレンスセルを用いて読み出し可能とした不揮発性半導体記憶装置において、データ保護用メモリセルのデータを消去する際に、該リファレンスセルのデータも同時に消去するセキュリティ回路を備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 673
FI (5件)：
G11C 29/00 673 Z ,  G11C 17/00 601 P ,  G11C 17/00 633 E ,  G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 635
Fターム (13件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD07 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD14 ,  5B025AE09 ,  5B025AE10 ,  5L106AA10 ,  5L106DD00 ,  5L106EE02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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