特許
J-GLOBAL ID：200903056620173623

半導体装置およびその製造方法

発明者：
金丸 浩

金丸 浩 について

, 
大月 正人

大月 正人 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260976
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069020
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性に優れたIGBTを構成する半導体装置を安定して得ること。【解決手段】 n-ドリフト層31、n+バッファー層32およびn-バックグラインドバッファー層40からなるエピタキシャルウェハ30を用い、n-ドリフト層31の表面にベース部およびエミッタ部を形成した後、n-バックグラインドバッファー層40をバックグラインド時のばらつきを吸収するバッファー層としてバックグラインドをおこない、その研磨面にコレクタ部を形成する。
請求項（抜粋）：
相対的に不純物濃度が低い第1導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の上面に形成された第2導電型のベース領域、第1導電型のエミッタ領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極およびエミッタ電極と、前記ドリフト層の下面に形成された相対的に不純物濃度が高い第1導電型の第1のバッファー層と、前記第1のバッファー層の下面に形成された相対的に不純物濃度が低い第1導電型の第2のバッファー層と、前記第2のバッファー層の下面に形成された第2導電型のコレクタ層およびコレクタ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 G
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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