特許
J-GLOBAL ID：200903056628530930

指紋検出装置、その製造方法及び成膜装置

発明者：
宮井 清一

宮井 清一 について

, 
岡 修一

岡 修一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-058872
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 保護用の蓋体に依存することなく、指紋センサチップの表面強度及び静電耐圧を向上できるようにする。【解決手段】 指紋センサチップ10と、この指紋センサチップ10の最外表面に設けられたDLC膜14とを備えるものである。この構成によって、DLC膜14が指紋センサチップ10の最外表面に設けられる。従って、保護用の蓋体に依存することなく、指紋センサチップ10の表面強度及び静電耐圧を向上させることができる。しかも、傷や汚れ等がつき難くなる。従来方式のような保護用の蓋体が不要となることから、当該指紋検出装置100を薄膜化及び小型化することができる。これにより、信頼性の高い指紋検出装置100を提供することができる。
請求項（抜粋）：
指紋検出用の半導体チップと、前記半導体チップの最外表面に設けられた炭素系の保護膜とを備えることを特徴とする指紋検出装置。
IPC (3件)：
G06T 1/00 400 ,  C23C 16/27 ,  G01B 7/28
FI (3件)：
G06T 1/00 400 G ,  C23C 16/27 ,  G01B 7/28 H
Fターム (15件)：
2F063AA41 ,  2F063BA30 ,  2F063CA18 ,  2F063DA02 ,  2F063DD07 ,  2F063HA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA24 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030LA11 ,  5B047AA25
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 変位測定装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-285247   出願人：株式会社ミツトヨ
  • 被膜作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-372446   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平3-274269
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