特許

J-GLOBAL ID：200903056663259165

長波長VCSEL

発明者： ジャマル・ラムダニ ,  マイケル・エス・レビー ,  ウェンビン・ジアン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126809
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303515
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い長波長VCSELを提供する。【解決手段】 長波長光を放出するVCSELは、GaAs(111)基板素子(12),GaAs/AlGaAs物質系のミラー対から成り、GaInAsN活性領域(20)と格子を一致させた第1ミラー・スタック(14),第1ミラー・スタック(14)に隣接する第1クラッディング領域(24)および第2クラッディング領域(25)間に挟持された活性構造(23)を有し、活性構造(23)が、窒化物を基本とする量子井戸(35,36,37)を含むGaInAsN活性領域(20),ならびに第2クラッディング領域(25)に格子を一致させ、GaAs/AlGaAs物質系のミラー対を有する第2ミラー・スタック(26)を含む。

請求項（抜粋）：

長波長光を放出する垂直空洞面放出レーザであって:GaAs(111)基板(12);前記GaAs(111)基板(12)上に配置された第1ミラー・スタック(14);窒化物を基本とする量子井戸(35,36,37)を含むGaInAsN活性領域(20)であって、前記第1ミラー・スタック(14)上に配置された活性領域(20);および前記活性領域(20)上に配置された第2ミラー・スタック(26);から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-258086   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240290   出願人：オリンパス光学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Design and Expected Characteristics of 1.3um GaInNAs/GaAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers"