特許
J-GLOBAL ID：200903056681650173
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026338
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】高感度の可動部を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体から成る可動部にメッキを施すことで、可動部の質量、剛性、構造強度を大きくすることができる。SOI基板を用いれば、例えばエッチホールの壁面のみにメッキを施した半導体装置を形成することも容易である。
請求項（抜粋）：
基板と、エッチング可能な犠牲層と、半導体層との少なくとも3層から成る半導体積層基板から形成され、前記半導体層から成る可動部を有する半導体装置において、前記可動部の表面の少なくとも一部にメッキが施されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/84
, B81B 3/00
, B81C 1/00
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, G01P 15/125
H01L 29/84 Z
, B81B 3/00
, B81C 1/00
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, G01P 15/125
2F105BB02
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 2F105CD13
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112CA36
, 4M112DA04
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA01
