特許

J-GLOBAL ID：200903056687255993

半導体装置の接合不良検出方法

発明者： 百濃 尚子 ,  片山 俊治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133744
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323543
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置中のpn接合不良個所を精確に検出し、かつ、検出によって不純物導入領域をエッチングしてしまわない、接合不良の検出方法を実現することを目的とする。【解決手段】 格子状の素子分離領域3に絶縁されたp型不純物導入領域4を表面に備えたn型シリコン基板2に直流電圧源6の正極を接続し、対電極8に直流電圧源6の負極を接続して、シリコンをエッチング可能でかつ電気分解可能な化学エッチング液7に浸漬する。pn接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥5が存在する個所のp型不純物導入領域4aには電源6の正電位が伝わる。そしてその表面では電気分解により酸化膜が形成され、エッチングが進まない。一方、それ以外のp型不純物導入領域4はエッチングされるので、接合不良個所を精確に検出できる。

請求項（抜粋）：

第1のp型不純物導入領域を表面に有し、前記第1のp型不純物導入領域に接触するn型不純物導入領域を有する半導体装置を準備する第1の工程と、前記第1のp型不純物導入領域をエッチングすることが可能で、かつ、自身に対して前記第1のp型不純物導入領域が高電位となる場合に前記第1のp型不純物導入領域に不動態化層を形成することが可能な化学エッチング液に、前記半導体装置を浸漬し、前記n型不純物導入領域が前記化学エッチング液に対して高電位となるよう前記n型不純物導入領域に電圧を印加する第2の工程とを備える半導体装置の接合不良検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/306 U

Fターム (14件)：

4M106AA02 ,  4M106AA10 ,  4M106BA12 ,  4M106BA14 ,  4M106CA49 ,  4M106CB19 ,  4M106DH55 ,  4M106DH58 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043DD17 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭42-025456
  
• 接合部の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272577   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268722   出願人：三菱電機株式会社
• 特公昭42-025456