特許
J-GLOBAL ID：200903037551397960

半導体装置の評価方法

発明者：
今井 ゆかり

今井 ゆかり について

, 
片山 俊治

片山 俊治 について

, 
大谷 尚子

大谷 尚子 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115978
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の薄膜の欠陥及び絶縁耐圧不良部の評価方法を確立する。【解決手段】 順に積層されるシリコン基板1、欠陥3及び絶縁耐圧不良部4を有するゲート酸化膜2ならびにポリシリコン膜5を備える半導体装置100が湿式エッチング装置9の備える化学エッチング液7に浸漬される。シリコン基板1を陽極として湿式エッチング装置9の備える直流電圧電源6によって電圧を印加した状態で化学エッチングを行なう。欠陥3及び絶縁耐圧不良部4上のポリシリコン膜5の表面には不動態化層10が形成され、ゲート酸化膜2によって絶縁される領域のポリシリコン膜5表面には不動態化層10が形成されない。不動態化層10が形成されない領域のポリシリコン膜5は化学エッチング液7によって除去される。
請求項（抜粋）：
(a)順に積層される第1半導体層、絶縁膜及び第2半導体層とを含んで成る半導体装置を水酸基を含む溶液に浸漬する工程と、(b)前記第1半導体層を陽極として前記溶液に電圧を印加する工程とを備える半導体装置の評価方法。
IPC (8件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 21/66 Q ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/306 L ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 691 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM