特許

J-GLOBAL ID：200903056753267345

二層カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 齋藤 弥八 ,  中平 貴工 ,  上村 佐四郎 ,  長廻 武志
出願人/特許権者： ノリタケ伊勢電子株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219202
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034515
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 二層カーボンナノチューブを簡単に効率よく製造する。【解決手段】 炭素棒に長さ方向の穴を設け、この穴に鉄、ニッケル及びコバルトの中から選択した少なくとも1つの元素と硫黄と炭素とを含む混合粉末102aを詰めて形成した陽極側の炭素電極102と陰極側の炭素電極103とを密閉容器101中に配置し、密閉容器101を真空に排気した後、水素ガスを導入して所定圧力とし、これらの電極間にアーク放電を発生させ、陽極側の炭素電極102を蒸発させて密閉容器101内で凝縮させる。

請求項（抜粋）：

円筒状のグラファイト層が2つ入れ子状に配置された同軸二層構造を有する二層カーボンナノチューブの製造方法であって、鉄、ニッケル及びコバルトの中から選択した少なくとも1つの元素と硫黄と炭素とを水素ガス雰囲気中で蒸発させた後、気相で凝縮させることを特徴とする二層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 19/08 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

FI (4件)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 19/08 J ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

Fターム (32件)：

4G046CA00 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4G075AA27 ,  4G075BA01 ,  4G075BB02 ,  4G075BB08 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA05 ,  4G075CA17 ,  4G075CA62 ,  4G075CA65 ,  4G075CA66 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EB27 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075EE02 ,  4G075EE04 ,  4G075FB03 ,  4G075FC11 ,  4L037CS04 ,  4L037CT05 ,  4L037FA02 ,  4L037FA05 ,  4L037FA12 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA24 ,  4L037UA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二重壁炭素ナノチューブ並びにその製造および使用方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-534209   出願人：フラーレンインターナショナルコーポレイション