特許
J-GLOBAL ID：200903056763399398
薄膜キャパシタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301701
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145391
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 薄膜キャパシタの電極形状に起因する絶縁性の低下を抑制する。【解決手段】 基板1側から、下部電極4、誘電体層7、上部電極8の順に積層された薄膜キャパシタにおいて、下部電極4の誘電体層7と接する層を非晶質に形成する。あるいは、非晶質として形成後に誘電体層7の形成中や形成後に結晶化させてもよく、又は、イオン照射などにより結晶粒成長を抑制しながら堆積させてもよい。これにより、下部電極4表面の結晶粒に起因する凹凸が減少し、平滑な誘電体/電極界面が得られ、リーク電流の低減、破壊耐圧の向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された薄膜キャパシタであって、前記半導体基板側から順に下部電極、誘電体薄膜、上部電極が積層されてなる薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極が少なくとも1層以上から成り、前記下部電極の該誘電体薄膜と接する層に非晶質の導電性酸化物を使用すること、を特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
