特許
J-GLOBAL ID:200903056788425938

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 詔男 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-209437
公開番号(公開出願番号):特開平11-054705
出願日: 1997年08月04日
公開日(公表日): 1999年02月26日
要約:
【要約】【課題】 配線ビッチ、すなわち配線幅及び配線間隔を狭くすることにより、基板上に形成されるコイル全体の面積を小さくすることができ、コイルとしての特性を向上させることができ、高集積化、小型化に対応することができる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板101上に、複数の絶縁膜102、104、107、110と複数のコイル106、109、112とが交互に積層され、前記コイル106、109、112同士はスリット状のビア116を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板上に、複数の絶縁膜と複数のコイルとが交互に積層され、前記コイル同士はスリット状のビアを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78
FI (3件):
H01L 27/04 L ,  H01L 21/88 K ,  H01L 29/78 301 X
引用特許:
審査官引用 (4件)
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