特許

J-GLOBAL ID：200903056850994987

イオンドーピング方法及びイオンドーピング装置

発明者： 国井 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222586
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064549
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 イオンドーピングにより半導体薄膜に制御性良く低濃度不純物領域及び高濃度不純物領域を形成する。【構成】 イオンドーピング方法では、不純物ガス種及び希釈ガス種の混合物からなる原料気体をチャンバ1に導入し、原料気体をイオン化した後さらに電界加速して不純物を半導体層に注入する。低濃度の不純物ガス種を含む原料気体を用い低ドーズ量で不純物を半導体層に注入し低濃度不純物領域を形成する。高濃度の同一不純物ガス種を含む原料気体に切り換え高ドーズ量で同一不純物を半導体層に注入し高濃度不純物領域を形成する。

請求項（抜粋）：

不純物ガス種及び希釈ガス種の混合物からなる原料気体をチャンバに導入し該原料気体をイオン化した後さらに電界加速して不純物を半導体層に注入するイオンドーピング方法であって、低濃度の不純物ガス種を含む原料気体を用い低ドーズ量で不純物を半導体層に注入し低濃度不純物領域を形成する第1ドーピングと、高濃度の同一不純物ガス種を含む原料気体に切り換え高ドーズ量で同一不純物を半導体層に注入し高濃度不純物領域を形成する第2ドーピングとを行なう事を特徴とするイオンドーピング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 616 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-103832
  
• 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-030220   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-123553   出願人：東芝機械株式会社, 東芝セラミックス株式会社, 徳山セラミックス株式会社
• 特開平1-103832