半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118815
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【目的】シリコンウェーハあるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体ウェーハのエッジ部分を効果的にかつ安定に研磨加工を行なう研磨用組成物を提供する。【構成】BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが8〜50nmであり、マイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bが12〜200nmの範囲にあり、かつ前記平均一次粒子径Aと平均二次粒子径Bの比B/Aが1.4から12の範囲にあって、更に溶液全体に対する酸化珪素粒子の濃度が2〜30重量%であるコロイド溶液であり、ことによって、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含むpH8〜11の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物である。

請求項（抜粋）：

BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが8〜50nmであり、マイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bが12〜200nmの範囲にあり、かつ前記平均一次粒子径Aと平均二次粒子径Bの比B/Aが1.4から12の範囲にあって、更に溶液全体に対する濃度が2〜30重量%である酸化珪素粒子のコロイド溶液であり、かつ、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含むことによって、pH8〜11の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 9/00 601 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 P , H01L 21/304 621 E , B24B 9/00 601 H , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (12件)：

3C049AA07 , 3C049AA09 , 3C049CA05 , 3C049CB01 , 3C058AA06 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AC04 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

研磨剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-288633 出願人：株式会社トクヤマ
半導体シリコン基板の面取り部研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-247235 出願人：コマツ電子金属株式会社
研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-325614 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

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