半導体装置および基板上への非晶質窒化硅素チタンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295691
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150084
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】コンタクト抵抗が低いバリア層を有し、バリア層の上に良質の導電体の膜が形成でき、かつ微細なコンタクトホールにおいても良好な電気的導通が得られる構造体を提供する。【解決手段】基板の表面の一部と導電体とが、前記基板の表面上に設けられた絶縁膜のコンタクトホールを介して電気的に接続されている構造を有する半導体装置にであって、表面の一部と導電体との間に介在するバリア層がコンタクトホールの底部にのみ設けられ、底部に設けられたバリア層が非晶質窒化硅素チタンである。

請求項（抜粋）：

基板の表面の一部と導電体とが、前記基板の表面上に設けられた絶縁膜のコンタクトホールを介して電気的に接続されている構造を有する半導体装置において、前記表面の一部と前記導電体との間に介在するバリア層が前記コンタクトホールの底部にのみ設けられ、前記底部に設けられたバリア層が非晶質窒化硅素チタンであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/768 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-001943
特開平2-170424
特開平4-119669

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