特許

J-GLOBAL ID：200903093055866930

半導体装置の製造方法

発明者： 三浦 喜直
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106539
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293690
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 シリコン(Si)基板とコンタクト金属との間にバリア膜としてアモルファス膜を用いることが提案されているが、このアモルファス膜はスパッタ法により形成せざるを得ないため、コンタクトホール部のみに形成することが難しい。【解決手段】 Si基板11の表面に酸化Si等の絶縁膜12を形成し、この絶縁膜に局所的にコンタクトホール13を開設した後、このコンタクトホールを含む全面にTi薄膜14を10nm以下の厚さで一様に堆積し、さらに基板を450〜550°Cに加熱してコンタクトホール内のSi露出部にのみアモルファスTiSiX 膜15を形成し、これを薄いバリア膜とする。その上にAl膜16を形成してパッドとする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板とコンタクト金属との間にバリア膜を有する半導体装置の製造方法において、前記バリア膜は、シリコン基板上に高融点金属薄膜を一様に堆積した後、基板温度を450〜550°Cに保ちながら、反応性のある窒素含有気体にさらし、前記高融点金属とシリコンと窒素とからなるアモルファス状または微結晶状の薄いバリア層として形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイスの導電層、MOSFET及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-191544   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179323   出願人：松下電器産業株式会社