シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050757
公開番号（公開出願番号）：特開平8-245294
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】【目的】酸素濃度を所定値以上に保たなければならない要請と、これに相反するウエーハ表面及び表面近傍の完全性を高めるための低酸素濃度化の要請とを、同時に満足させることのできるシリコンウエーハ及びその製造方法を提供すること。【構成】単結晶シリコンをチョクラルスキ-法により育成するにあたり、単結晶シリコンの外周端から5mm未満内の外側領域における酸素濃度を、9.5×1017乃至14.5×1017atoms/ccに設定するとともに、前記外側領域よりも内側の内側領域における酸素濃度を、6×1017乃至11×1017atoms/ccに設定し、更に、内側領域に対し外側領域の酸素濃度を、少なくとも0.5×1017atoms/cc以上で且つ3.5×1017atoms/cc以下に設定したシリコンウエーハ及びその製造方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキ-法により育成された単結晶シリコンにおいて、単結晶シリコンの外周端から5mm未満内の外側領域における酸素濃度が、9.5×1017乃至14.5×1017atoms/ccに設定されるとともに、前記外側領域よりも内側の内側領域における酸素濃度が、6×1017乃至11×1017atoms/ccに設定され、更に、内側領域に対し外側領域の酸素濃度が、少なくとも0.5×1017atoms/cc以上で且つ3.5×1017atoms/cc以下に設定されたことを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/02 , H01L 21/322

FI (4件)：

C30B 29/06 502 K , C30B 15/00 Z , H01L 21/02 B , H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (8件)

単結晶の引上方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-158217 出願人：株式会社東芝
特開平1-239081
特開昭62-132795

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