特許

J-GLOBAL ID：200903056945689340

レジストパターンの形成方法

発明者： 渡邊 健夫 ,  森 重恭 ,  福島 隆史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292870
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134858
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に十分な酸がトラップされることになり、所望のレジストパターンを形成する際に、レジスト中に発生した酸が半導体基板中へ拡散することが防止され、断面形状が垂直な、高コントラストを有するレジストパターンを形成することができる。【解決手段】 (i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジストに選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行うレジストパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

(i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジストに選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-110503   出願人：沖電気工業株式会社