特許
J-GLOBAL ID：200903011645695477

パターン形成方法

発明者：
渡辺 実

渡辺 実 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110503
公開番号（公開出願番号）：特開平8-305036
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 矩形なパターンを形成する。【構成】 シリコンウェハー11上のアモルファスカーボン12を形成した後、化学増幅型ポジレジスト13を形成して、露光、PEBを行う。光アッシングにより、化学増幅型ポジレジスト13を除去する。化学増幅型ポジレジスト15を塗布した後、パターン用マスク16を用いて、露光する。アモルファースカーボン14の表面には酸が含まれているので、レジスト15を露光、PEB処理した際に発生する酸の失活が発生しない。次に、レジスト15を現像して、パターン17を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸をトラップし易い薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に酸発生剤を含有したレジストを塗布する工程と、前記レジストにエネルギー照射して酸を発生させる工程と、前記レジストを除去する工程と、前記薄膜上に化学増幅型レジストを塗布する工程と、前記化学増幅型レジストを選択的にエネルギー照射し、現像によりパターンを形成する工程とを、含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/26 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/26 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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