特許

J-GLOBAL ID：200903056949966217

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法

発明者： 道上 修
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223220
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037304
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 酸化物超伝導体薄膜との格子ミスマッチを緩和し、膜特性向上を図ることができるサファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、R面サファイア基板1上にCeO2 バッファ層2を形成し、次に、このCeO2バッファ層2上にLaAlO3 を傾斜層3として形成し、次に、この傾斜層3上にEBCO薄膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、(a)R面サファイア基板上にCeO2 バッファ層を形成し、(b)該CeO2 バッファ層上にLaAlO3 、NdGaO3 、PrGaO3 、YAlO3 、LaGaO3 、SrTiO3 、Y2 O3 、YSZからなる単一の材料を傾斜層として形成し、(c)該傾斜層上に酸化物超伝導薄膜を形成することを特徴とするサファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法。

Fターム (7件)：

4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA07 ,  4M113BA08 ,  4M113CA34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• サファイア基板を用いたSQUIDとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094057   出願人：住友電気工業株式会社
• 多層構造の超伝導素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141595   出願人：新日本製鐵株式会社
• 平面型グラディオメータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-118117   出願人：株式会社日立製作所
• 超電導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237159   出願人：株式会社東芝