特許
J-GLOBAL ID：200903056966693232

光電変換膜積層型固体撮像装置

発明者：
鈴木 信雄

鈴木 信雄 について


出願人/特許権者：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

富士フイルムマイクロデバイス株式会社 について

, 
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-077694
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268477
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 光電変換膜で発生した光電荷を出力用トランジスタのゲートにスムースに流し、信号電荷に対する信号電圧が大きくして高感度化を図る。【解決手段】 MOSトランジスタ回路による信号読出回路が形成された半導体基板130と、半導体基板130の上に積層され入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換膜123r,g,bと、半導体基板130の表面に設けられ信号電荷を半導体基板130の表面に導く配線144rが接続される接続部143rと、接続部143rと信号読出回路を構成する出力トランジスタのゲート部分(リセット用トランジスタのソース141r)とを接続可能に設けられた電荷通路と、接続部143rに近接して設けられ接続部143rの電荷に対して一定電位障壁となる電位障壁手段146rとを設ける。電位障壁手段146rが存在するため、信号電荷が画素電極膜120rと接続部143rとの間に滞留することなく、速やかにソース141r下の電位井戸に流れ込む。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタ回路による信号読出回路が形成された半導体基板と、該半導体基板の上に積層され入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換膜と、前記半導体基板の表面に設けられ前記信号電荷を該半導体基板の表面に導く配線が接続される接続部と、該接続部と前記信号読出回路を構成する出力トランジスタのゲート部分とを接続可能に設けられた電荷通路と、前記接続部に近接して設けられ該接続部の電荷に対して一定電位障壁となる電位障壁手段とを備えることを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 D ,  H01L31/10 D
Fターム (20件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CB14 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GB15 ,  4M118GC08 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5F049MA20 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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