特許

J-GLOBAL ID：200903056992154285

ウエーハの加工方法

発明者： 長澤 唯人 ,  永井 祐介
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292190
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064232
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 素子の品質を低下させることなくウエーハの裏面に金属膜を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 表面に格子状に配列されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハの裏面に金属膜を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に金属膜を形成する金属膜形成工程を実施する前に、ウエーハに形成されたストリートに沿って透過性を有するレーザー光線を照射して変質層を形成するレーザー光線照射工程を実施する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

表面に格子状に配列されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に素子が形成されたウエーハの裏面に金属膜を形成するウエーハの加工方法であって、 ウエーハの裏面に金属膜を形成する金属膜形成工程を実施する前に、ウエーハに形成されたストリートに沿って透過性を有するレーザー光線を照射して変質層を形成するレーザー光線照射工程を実施する、 ことを特徴とするウエーハの加工方法。

IPC (2件)：

H01L21/02 ,  H01L21/301

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019518   出願人：株式会社村田製作所
• チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130001   出願人：ソニー株式会社