特許
J-GLOBAL ID：200903057043478122

半導体ウェーハの評価方法及び装置

発明者：
小林 武史

小林 武史 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286580
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083853
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 銅濃度を管理し評価することで、安定した欠陥の観察ができ、欠陥の分布や密度を正確に分析でき、装置間、バッチ間等のバラツキを抑え、安定した評価ができる上、Cu標準液を用いることにより、前処理時間の短縮を可能とし迅速な評価ができるようにした半導体ウェーハの評価方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの表面上に所定の厚さの絶縁膜を形成させる工程と、該半導体ウェーハの表面近くに形成された欠陥部位上の絶縁膜を破壊し、該欠陥部位に溶媒中の銅をデポジションする工程とからなるCuデポジション法を用い、該溶媒中の銅濃度を0.4〜30ppmの範囲に調節し評価するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの表面上に所定の厚さの絶縁膜を形成させる工程と、該半導体ウェーハの表面近くに形成された欠陥部位上の絶縁膜を破壊し、該欠陥部位に溶媒中の銅をデポジションする工程とからなるCuデポジション法を用い、該溶媒中の銅濃度を0.4〜30ppmの範囲に調節し評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/84
FI (2件)：
H01L 21/66 N ,  G01N 21/84 D
Fターム (8件)：
2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051AC12 ,  2G051CA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106DH60
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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