特許

J-GLOBAL ID：200903057053945020

パターン形成方法及び下層膜形成材料

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372775
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205676
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【解決手段】反射防止膜として部分的に水素添加されたナフトール誘導体を繰り返し単位として含むフォトレジスト下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、パターン回路領域に放射線を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でフォトレジスト層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。【効果】本発明の下層膜形成材料は、屈折率のn値が1.5〜1.9、k値が0.15〜0.3の範囲であり、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数であり、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度もノボラック樹脂と同程度であり、高いエッチング耐性を有する。また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

反射防止膜として部分的に水素添加されたナフトール誘導体を繰り返し単位として含むフォトレジスト下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、パターン回路領域に放射線を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でフォトレジスト層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/11 503 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/30 574

Fターム (27件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB32 ,  2H025CB41 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  5F046NA01 ,  5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-198469   出願人：株式会社東芝
• シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-115597   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-198469   出願人：株式会社東芝
• シリコン含有2層レジスト用下層レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-115597   出願人：富士写真フイルム株式会社